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SKHY

SK hynix Inc. · Technology · Semiconductors
技術面賣出MA買進 · 10ZACKS買進 R500今日第 481 名 目標價+75% 財報EPS 低於預期 −34% · 營收 +5.0%
$149.21 -7.95% 今日 · +8.90% 1W
10月30日 收盤或最新價
盤後 $149.79 +0.39% ·
走勢分析與記憶體與儲存同業同步解讀 ›

過去兩年持有 SKHY 的最佳與最差時段

以收盤價買進與賣出。每段彩色區間是該持有期間的最佳或最差時段，上漲與下跌以漲跌顏色區分：持有越久越寬、顏色越深，在下層；越短越亮，在上層。灰線是完整的兩年。字母標示時段內的事件（E 財報、A 分析師、I 內線、M 提及暴增、V 爆量、T 題材變動、N 新聞）。滑過圖表上方的期間可單獨顯示其事件；點擊可隱藏或顯示。

各持有期間的最佳與最差時段

最佳最差
持有買進賣出漲幅排名 買進賣出漲幅排名
單日 2026年7月13日2026年7月14日 +27.3%#10 2026年7月15日2026年7月16日 -13.7%#84
一週 2026年8月10日2026年8月17日 +26.7%#57 2026年7月21日2026年7月28日 -24.3%#43
一個月 2026年8月7日2026年9月9日 +44.0%#63 2026年9月22日2026年10月22日 -32.6%#42
3 個月 2026年7月29日2026年10月29日 +27.8%#317 2026年7月14日2026年10月14日 -23.9%#201
6 個月 2026年7月10日2026年9月22日 +16.3%#435 2026年7月10日2026年10月22日 -21.6%#220
一年 2026年7月10日2026年9月22日 +16.3%#406 2026年7月10日2026年10月22日 -21.6%#202

一週最佳時段排第 57，代表過去一年有 56 檔 S&P 500 成分股的一週最佳漲幅更好；最差時段中 #1 是跌最深。 更新於 。

各時段發生了什麼

最佳 單日 2026年7月13日 → 2026年7月14日 +27.3% · 1 件事件
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.2 個百分點；個股 -9.3%
最佳 一週 2026年8月10日 → 2026年8月17日 +26.7% · 2 件事件
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +4.4 個百分點；個股 +9.0%
  • M 提及暴增 提及 29 次，前一週平均每天 5.7 次
最佳 一個月 2026年8月7日 → 2026年9月9日 +44.0% · 5 件事件
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +4.4 個百分點；個股 +9.0%
  • M 提及暴增 提及 29 次，前一週平均每天 5.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.8 個百分點；個股 -9.2%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +6.5 個百分點；個股 +8.1%
  • M 提及暴增 提及 20 次，前一週平均每天 4.1 次
最佳 3 個月 2026年7月29日 → 2026年10月29日 +27.8% · 32 件事件
  • M 提及暴增 提及 120 次，前一週平均每天 9.4 次
  • E 財報優於預期 2Q2026 · EPS 相對共識 +$4.19 (+86.1%) · 反應 -2.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +12.6 個百分點；個股 +17.5%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.2 個百分點；個股 -5.0%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +4.4 個百分點；個股 +9.0%
  • M 提及暴增 提及 29 次，前一週平均每天 5.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.8 個百分點；個股 -9.2%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +6.5 個百分點；個股 +8.1%
  • M 提及暴增 提及 20 次，前一週平均每天 4.1 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -4.2 個百分點；個股 -7.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +5.2 個百分點；個股 +2.5%
  • V 爆量 成交量為平均的 4.3 倍，當日 +2.5%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.0 個百分點；個股 +0.8%
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell 3.75% as Samsung's Q3 profit missed expectations despite strong AI demand.
  • N 新聞原因 Memory & storage peers fell together; SNDK down 1.7%, MU down 0.7% on sector weakness.
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.0 個百分點；個股 -4.0%
  • N 新聞原因 24/7 Wall St. reported memory stocks slid as China's CXMT flagged denser chip design.
  • N 新聞原因 Memory stocks fell as China's CXMT made progress on denser DRAM design, per Yahoo Finance.
  • N 新聞原因 Memory stocks slid into bear market amid AI financing concerns and Chinese competition, per Yahoo Finance.
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell similarly (-6.38%) with no company-specific headline explaining the move.
  • N 新聞原因 Memory chipmakers bounced back from earlier concerns; SK hynix rose 5% as peers also gained.
  • N 新聞原因 Memory chip peers fell amid concerns about AI spending slowdown and Seoul market weakness.
  • N 新聞原因 Memory and storage peers rose 2.69% on Samsung and SK Hynix China plant upgrades for advanced chips (Benzinga).
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.1 個百分點；個股 -8.1%
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell 6.24% on NAND flash shortage pressuring the sector.
  • N 新聞原因 SK Hynix pulled its planned $10 billion Solidigm IPO, per TIKR and multiple outlets.
  • N 新聞原因 SK Hynix announced a ₩16 trillion ($12 billion) special dividend from Kioxia stake sale proceeds, per Dong-A Ilbo.
  • N 新聞原因 Anthropic's IPO filing revived AI trade and lifted Asian chipmakers, per Investing.com.
  • M 提及暴增 提及 55 次，前一週平均每天 2.3 次
  • N 新聞原因 Fool.com reported SK Hynix posted record Q3 with seven-fold operating profit jump on AI-driven memory demand.
  • E 財報低於預期 3Q2026 · EPS 相對共識 −$2.15 (−34.4%) · 反應 -1.6%
  • N 新聞原因 SK Hynix reported EPS of 4.1 versus expected 6.25, though revenue beat; Yahoo Finance headline highlights AI demand and HBM4 expansion from earnings call.
最佳 6 個月 2026年7月10日 → 2026年9月22日 +16.3% · 16 件事件
  • M 提及暴增 提及 82 次，前一週平均每天 4.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.2 個百分點；個股 -9.3%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +9.8 個百分點；個股 +13.8%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -6.0 個百分點；個股 -8.8%
  • M 提及暴增 提及 120 次，前一週平均每天 9.4 次
  • E 財報優於預期 2Q2026 · EPS 相對共識 +$4.19 (+86.1%) · 反應 -2.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +12.6 個百分點；個股 +17.5%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.2 個百分點；個股 -5.0%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +4.4 個百分點；個股 +9.0%
  • M 提及暴增 提及 29 次，前一週平均每天 5.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.8 個百分點；個股 -9.2%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +6.5 個百分點；個股 +8.1%
  • M 提及暴增 提及 20 次，前一週平均每天 4.1 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -4.2 個百分點；個股 -7.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +5.2 個百分點；個股 +2.5%
  • V 爆量 成交量為平均的 4.3 倍，當日 +2.5%
最佳 一年 2026年7月10日 → 2026年9月22日 +16.3% · 16 件事件
  • M 提及暴增 提及 82 次，前一週平均每天 4.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.2 個百分點；個股 -9.3%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +9.8 個百分點；個股 +13.8%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -6.0 個百分點；個股 -8.8%
  • M 提及暴增 提及 120 次，前一週平均每天 9.4 次
  • E 財報優於預期 2Q2026 · EPS 相對共識 +$4.19 (+86.1%) · 反應 -2.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +12.6 個百分點；個股 +17.5%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.2 個百分點；個股 -5.0%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +4.4 個百分點；個股 +9.0%
  • M 提及暴增 提及 29 次，前一週平均每天 5.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.8 個百分點；個股 -9.2%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +6.5 個百分點；個股 +8.1%
  • M 提及暴增 提及 20 次，前一週平均每天 4.1 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -4.2 個百分點；個股 -7.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +5.2 個百分點；個股 +2.5%
  • V 爆量 成交量為平均的 4.3 倍，當日 +2.5%
最差 單日 2026年7月15日 → 2026年7月16日 -13.7% · 0 件事件

沒有紀錄。

最差 一週 2026年7月21日 → 2026年7月28日 -24.3% · 2 件事件
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +9.8 個百分點；個股 +13.8%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -6.0 個百分點；個股 -8.8%
最差 一個月 2026年9月22日 → 2026年10月22日 -32.6% · 13 件事件
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.0 個百分點；個股 +0.8%
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell 3.75% as Samsung's Q3 profit missed expectations despite strong AI demand.
  • N 新聞原因 Memory & storage peers fell together; SNDK down 1.7%, MU down 0.7% on sector weakness.
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.0 個百分點；個股 -4.0%
  • N 新聞原因 24/7 Wall St. reported memory stocks slid as China's CXMT flagged denser chip design.
  • N 新聞原因 Memory stocks fell as China's CXMT made progress on denser DRAM design, per Yahoo Finance.
  • N 新聞原因 Memory stocks slid into bear market amid AI financing concerns and Chinese competition, per Yahoo Finance.
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell similarly (-6.38%) with no company-specific headline explaining the move.
  • N 新聞原因 Memory chipmakers bounced back from earlier concerns; SK hynix rose 5% as peers also gained.
  • N 新聞原因 Memory chip peers fell amid concerns about AI spending slowdown and Seoul market weakness.
  • N 新聞原因 Memory and storage peers rose 2.69% on Samsung and SK Hynix China plant upgrades for advanced chips (Benzinga).
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.1 個百分點；個股 -8.1%
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell 6.24% on NAND flash shortage pressuring the sector.
最差 3 個月 2026年7月14日 → 2026年10月14日 -23.9% · 20 件事件
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +9.8 個百分點；個股 +13.8%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -6.0 個百分點；個股 -8.8%
  • M 提及暴增 提及 120 次，前一週平均每天 9.4 次
  • E 財報優於預期 2Q2026 · EPS 相對共識 +$4.19 (+86.1%) · 反應 -2.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +12.6 個百分點；個股 +17.5%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.2 個百分點；個股 -5.0%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +4.4 個百分點；個股 +9.0%
  • M 提及暴增 提及 29 次，前一週平均每天 5.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.8 個百分點；個股 -9.2%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +6.5 個百分點；個股 +8.1%
  • M 提及暴增 提及 20 次，前一週平均每天 4.1 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -4.2 個百分點；個股 -7.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +5.2 個百分點；個股 +2.5%
  • V 爆量 成交量為平均的 4.3 倍，當日 +2.5%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.0 個百分點；個股 +0.8%
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell 3.75% as Samsung's Q3 profit missed expectations despite strong AI demand.
  • N 新聞原因 Memory & storage peers fell together; SNDK down 1.7%, MU down 0.7% on sector weakness.
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.0 個百分點；個股 -4.0%
  • N 新聞原因 24/7 Wall St. reported memory stocks slid as China's CXMT flagged denser chip design.
  • N 新聞原因 Memory stocks fell as China's CXMT made progress on denser DRAM design, per Yahoo Finance.
最差 6 個月 2026年7月10日 → 2026年10月22日 -21.6% · 29 件事件
  • M 提及暴增 提及 82 次，前一週平均每天 4.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.2 個百分點；個股 -9.3%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +9.8 個百分點；個股 +13.8%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -6.0 個百分點；個股 -8.8%
  • M 提及暴增 提及 120 次，前一週平均每天 9.4 次
  • E 財報優於預期 2Q2026 · EPS 相對共識 +$4.19 (+86.1%) · 反應 -2.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +12.6 個百分點；個股 +17.5%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.2 個百分點；個股 -5.0%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +4.4 個百分點；個股 +9.0%
  • M 提及暴增 提及 29 次，前一週平均每天 5.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.8 個百分點；個股 -9.2%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +6.5 個百分點；個股 +8.1%
  • M 提及暴增 提及 20 次，前一週平均每天 4.1 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -4.2 個百分點；個股 -7.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +5.2 個百分點；個股 +2.5%
  • V 爆量 成交量為平均的 4.3 倍，當日 +2.5%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.0 個百分點；個股 +0.8%
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell 3.75% as Samsung's Q3 profit missed expectations despite strong AI demand.
  • N 新聞原因 Memory & storage peers fell together; SNDK down 1.7%, MU down 0.7% on sector weakness.
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.0 個百分點；個股 -4.0%
  • N 新聞原因 24/7 Wall St. reported memory stocks slid as China's CXMT flagged denser chip design.
  • N 新聞原因 Memory stocks fell as China's CXMT made progress on denser DRAM design, per Yahoo Finance.
  • N 新聞原因 Memory stocks slid into bear market amid AI financing concerns and Chinese competition, per Yahoo Finance.
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell similarly (-6.38%) with no company-specific headline explaining the move.
  • N 新聞原因 Memory chipmakers bounced back from earlier concerns; SK hynix rose 5% as peers also gained.
  • N 新聞原因 Memory chip peers fell amid concerns about AI spending slowdown and Seoul market weakness.
  • N 新聞原因 Memory and storage peers rose 2.69% on Samsung and SK Hynix China plant upgrades for advanced chips (Benzinga).
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.1 個百分點；個股 -8.1%
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell 6.24% on NAND flash shortage pressuring the sector.
最差 一年 2026年7月10日 → 2026年10月22日 -21.6% · 29 件事件
  • M 提及暴增 提及 82 次，前一週平均每天 4.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.2 個百分點；個股 -9.3%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +9.8 個百分點；個股 +13.8%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -6.0 個百分點；個股 -8.8%
  • M 提及暴增 提及 120 次，前一週平均每天 9.4 次
  • E 財報優於預期 2Q2026 · EPS 相對共識 +$4.19 (+86.1%) · 反應 -2.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +12.6 個百分點；個股 +17.5%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.2 個百分點；個股 -5.0%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +4.4 個百分點；個股 +9.0%
  • M 提及暴增 提及 29 次，前一週平均每天 5.7 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.8 個百分點；個股 -9.2%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +6.5 個百分點；個股 +8.1%
  • M 提及暴增 提及 20 次，前一週平均每天 4.1 次
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -4.2 個百分點；個股 -7.6%
  • T 族群大漲 記憶體與儲存同業相對 SPY +5.2 個百分點；個股 +2.5%
  • V 爆量 成交量為平均的 4.3 倍，當日 +2.5%
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.0 個百分點；個股 +0.8%
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell 3.75% as Samsung's Q3 profit missed expectations despite strong AI demand.
  • N 新聞原因 Memory & storage peers fell together; SNDK down 1.7%, MU down 0.7% on sector weakness.
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -3.0 個百分點；個股 -4.0%
  • N 新聞原因 24/7 Wall St. reported memory stocks slid as China's CXMT flagged denser chip design.
  • N 新聞原因 Memory stocks fell as China's CXMT made progress on denser DRAM design, per Yahoo Finance.
  • N 新聞原因 Memory stocks slid into bear market amid AI financing concerns and Chinese competition, per Yahoo Finance.
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell similarly (-6.38%) with no company-specific headline explaining the move.
  • N 新聞原因 Memory chipmakers bounced back from earlier concerns; SK hynix rose 5% as peers also gained.
  • N 新聞原因 Memory chip peers fell amid concerns about AI spending slowdown and Seoul market weakness.
  • N 新聞原因 Memory and storage peers rose 2.69% on Samsung and SK Hynix China plant upgrades for advanced chips (Benzinga).
  • T 族群重挫 記憶體與儲存同業相對 SPY -5.1 個百分點；個股 -8.1%
  • N 新聞原因 Memory and storage peers fell 6.24% on NAND flash shortage pressuring the sector.

來自 Wallsti 的事件紀錄（後續表現兩年內的事件，加上 AI 解讀的新聞原因，後者只涵蓋最近幾週）。事件不代表原因：請對照日期與股價線。

今天與最佳起點比較

截至1d1w1m3m6m1y
今天
2026年10月30日
 -7.9%+8.9%-19.0%+0.1%-11.2%-11.2%
最佳單日
2026年7月13日
 -9.3%-9.3%-9.3%-9.3%-9.3%-9.3%
最佳一週
2026年8月10日
 -1.9%-5.2%-19.5%-19.5%-19.5%-19.5%
最佳一個月
2026年8月7日
 -3.9%-4.0%-17.9%-17.9%-17.9%-17.9%
最佳3 個月
2026年7月29日
 -2.6%-23.3%-24.5%-24.5%-24.5%-24.5%
最佳6 個月
2026年7月10日
 0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%
最佳一年
2026年7月10日
 0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%

各時段的回溯漲幅，今天與每個最佳時段起始日的對照，用來比較今天的態勢與最佳進場點。